晶合集成申请半导体器件及其制备方法专利降低半导体器件的面积

　　国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121357995A，申请日期为2025年12月。

　　专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，第一晶体管的第一栅氧化层及第一栅电极层依次堆叠在相应的第一有源区上，第一栅氧化层及第一栅电极层沿第一方向延伸的边界不超出相应的第一有源区的边界；绝缘层位于第一器件区的部分衬底上，并覆盖第一栅氧化层沿第一方向延伸的侧壁及第一栅电极层沿第一方向延伸的部分侧壁；第一栅极侧墙的第一部分位于绝缘层上，并覆盖第一栅电极层沿第一方向延伸的剩余侧壁，第二部分位于相应的第一有源区上，并覆盖第一栅电极层沿第二方向延伸的侧壁。本申请将第一栅氧化层及第一栅电极层沿第二方向的宽度变窄，从而降低半导体器件的面积，绝缘层可以避免沟道穿通以及源漏区短路的问题。

　　天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线条，此外企业还拥有行政许可22个。

　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。